MgO:LiNbO3晶体;纯同成份铌酸锂晶体最大的缺点是抗激光损伤阙值很低,这限制了它的应用领域。当掺入5mol%MgO后,所生长MgO:LN晶体的抗激光损伤阙值提高1-2个数量级,极化反转电压从21KV/mm降至6KV/mm,紫外吸收边紫移至310mm,OH-吸收峰红移至3535cm-1,这些变化极大的拓展了LN晶体的应用范围。
产品介绍
参数信息 | |
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外观状态: | 固体或粉末 |
质量指标: | 95%+ |
溶解条件: | 有机溶剂/水 |
CAS号: | N/A |
分子量: | N/A |
储存条件: | -20℃避光保存 |
储存时间: | 1年 |
运输条件: | 室温2周 |
生产厂家: | 上海金畔生物科技有限公司 |