砷化镓(GaAs)晶体材料,晶向:(100) 0°±0.5°,(100) 2°±0.5°off toward <111>A，(100)15°±0.5°off toward <111>A

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砷化镓(GaAs)晶体材料,晶向:(100) 0°±0.5°,(100) 2°±0.5°off toward <111>A，(100)15°±0.5°off toward <111>A

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产品介绍

掺杂：Si
导电类型：导电类型
生长方法：VGF(垂直梯度凝固法) HB(垂直布里奇曼法)
晶向：(100) 0°±0.5°，(100) 2°±0.5°off toward <111>A，(100)15°±0.5°off toward <111>A

尺寸：25×25×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm、5×5×0.35mm，可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度：Surface roughness(Ra):<=5A，可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告

抛光：单面或双面
包装：100级洁净袋，1000级超净室

参数信息
外观状态： 固体或粉末
质量指标： 95%+
溶解条件： 有机溶剂/水
CAS号： N/A
分子量： N/A
储存条件： -20℃避光保存
储存时间： 1年
运输条件： 室温2周
生产厂家： 上海金畔生物科技有限公司