产品名称 Al2O3+Al0.1GaN0.9 薄膜N型不掺杂（Al0.1GaN0.9 epitaxial template on Sapphire  N type ） 常规尺寸 dia2",单抛 标准包装 1000级超净室及100级超净纸真空包装或单片盒装 技术参数 Al2O3晶向： c-axis (0001) +/- 1.0 o 导电类型： N 型不掺杂 薄膜厚度： 5um，研究级，单抛 电阻率： < 0.5 Ohm-cm 正面Ga面情况： As-grown 反面情况： as-received finish 可用区域： >90% ；Edge Exclusion Area 1mm

参数信息
外观状态：	固体或粉末
质量指标：	95%+
溶解条件：	有机溶剂/水
CAS号：	N/A
分子量：	N/A
储存条件：	-20℃避光保存
储存时间：	1年
运输条件：	室温2周
生产厂家：	上海金畔生物科技有限公司