磷化铟(InP)晶体基片 提供Sn；S；Fe：Zn掺杂
产品介绍
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单晶 |
InP |
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掺杂 |
None；Sn；S；Fe：Zn |
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硬度 |
3.0莫氏硬度 |
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密度 |
4.78 g/cm3 |
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导电类型 |
N；N；N；Si；P |
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折射率 |
3.45 |
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载流子浓度cm–3 |
1-2×1016 1-3×1018 |
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位错密度cm-2 |
<5×104 |
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生长方法 |
LEC |
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温度 |
1072℃ |
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弹性模量 |
7.1E11dyn Cm-2 |
标准尺寸： 表面粗糙度Ra：<15A
晶向：
注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。
| 参数信息 | |
|---|---|
| 外观状态： | 固体或粉末 |
| 质量指标： | 95%+ |
| 溶解条件： | 有机溶剂/水 |
| CAS号： | N/A |
| 分子量： | N/A |
| 储存条件： | -20℃避光保存 |
| 储存时间： | 1年 |
| 运输条件： | 室温2周 |
| 生产厂家： | 上海金畔生物科技有限公司 |