硅Si晶体基片；晶体方向：<111>、<100>、<110> ± 0.5°
产品介绍
|
掺杂物质： |
掺B |
掺P |
|
类型： |
P |
N |
|
电阻率Ω.cm： |
10-3 ~ 40 |
10-3 ~ 40 |
|
EPD (cm-2 )： |
≤100 |
≤100 |
|
氧含量( /cm3 )： |
≤1.8 x1018 |
≤1.8 x1018 |
|
碳含量( /cm3 )： |
≤5×1016 |
≤5×1016 |
晶体方向：<111>、<100>、<110> ± 0.5° 或 特殊的方向；
常规尺寸:dia1″x 0.30 mm;dia2″x0.5mm;dia3″x0.5mm;dia4″x0.6mm;
表面粗糙度：Ra<10A
可提供热氧化SiO2层的Si片；Si+SiO2+Ti+Pt的基片
| 参数信息 | |
|---|---|
| 外观状态： | 固体或粉末 |
| 质量指标： | 95%+ |
| 溶解条件： | 有机溶剂/水 |
| CAS号： | N/A |
| 分子量： | N/A |
| 储存条件： | -20℃避光保存 |
| 储存时间： | 1年 |
| 运输条件： | 室温2周 |
| 生产厂家： | 上海金畔生物科技有限公司 |