晶体结构

四方(4mm): 9^oC < T < 130.5 ^oC

a=3.99  Å,  c= 4.04 Å ,

生长方法

顶部籽晶溶液法(TSSG)

熔点

1600 ^oC

密度

6.02 g/cm³

介电常数

e_a = 3700, e_c = 135 (自由状态)

e_a = 2400, e _c = 60 (夹持状态)

折射率

515 nm        633 nm        800 nm

n_o   2.4921        2.4160        2.3681

n_e   2.4247        2.3630        2.3235

透射波长范围

0.45 ~ 6.30 mm

电光系数

r^T ₁₃ =11.7 ±1.9 pm/V    r^T ₃₃ =112 ±10 pm/V

r^T ₄₂ =1920 ±180 pm/V

SPPC 反射率

(0度切 )

l = 515 nm, 50 – 70 % (最高达到77%)

l = 633 nm, 50 – 80 % (最高达到86.8%)

二波混频耦合常数

10 – 40 cm^-1

吸收损耗

l:   515 nm                633 nm                  800 nm

a:  3.392cm^-1              0.268cm^-1                0.005cm^-1

常规晶向

<100>, <001>

尺寸公差

+/-0.5度

常规尺寸

10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm

抛光情况

单抛或双抛

表面粗糙度

Ra<5A