碳化硅(SiC)单晶基片,10×3,10×5,10×10,15×15,20×15,20×20,Dia2",Di3",Dia4",0.35mm,单面或双面,<0001>±0.5º
产品介绍
碳化硅(SiC)单晶基片主要性能参数
生长方法
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籽晶升华法 ,PVT(物理气相传输)
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晶体结构
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六方
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晶格常数
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a=3.08 Å c=15.08 Å
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密度
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3.21 g/cm3
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方向
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生长轴或 偏<0001> 3.5 º
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带隙
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3.26 eV (间接)
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硬度
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9.2(mohs)
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热传导@300K
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5 W/ cm.k
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介电常数
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e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
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尺寸
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10×3,10×5,10×10,15×15,,20×15,20×20, Dia2″,Di3″,Dia4″
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厚度
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0.35mm,
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抛光
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单面或双面
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晶向
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<0001>±0.5º
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晶面定向精度:
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±0.5°
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边缘定向精度:
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2°(特殊要求可达1°以内)
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斜切晶片
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可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片
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Ra:
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≤5Å(5µm×5µm)
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包装
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100级洁净袋,1000级超净室
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参数信息 | |
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外观状态: | 固体或粉末 |
质量指标: | 95%+ |
溶解条件: | 有机溶剂/水 |
CAS号: | N/A |
分子量: | N/A |
储存条件: | -20℃避光保存 |
储存时间: | 1年 |
运输条件: | 室温2周 |
生产厂家: | 上海金畔生物科技有限公司 |