碳化硅(SiC)单晶基片,10×3,10×5,10×10,15×15,20×15,20×20,Dia2",Di3",Dia4"

碳化硅(SiC)单晶基片,10×3,10×5,10×10,15×15,20×15,20×20,Dia2",Di3",Dia4"

碳化硅(SiC)单晶基片,10×3,10×5,10×10,15×15,20×15,20×20,Dia2",Di3",Dia4",0.35mm,单面或双面,<0001>±0.5º

产品介绍

碳化硅(SiC)单晶基片主要性能参数

生长方法
籽晶升华法 ,PVT(物理气相传输)
晶体结构
六方
晶格常数
a=3.08 Å     c=15.08 Å 
密度
3.21 g/cm3
方向
生长轴或 偏<0001> 3.5 º
带隙
3.26 eV (间接)
硬度
9.2(mohs)
热传导@300K
5 W/ cm.k
介电常数
e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
尺寸
10×3,10×5,10×10,15×15,,20×15,20×20, Dia2″,Di3″,Dia4″
厚度
0.35mm,
抛光
单面或双面
晶向
<0001>±0.5º
晶面定向精度:
±0.5°
边缘定向精度:
2°(特殊要求可达1°以内)
斜切晶片
可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包装
100级洁净袋,1000级超净室
参数信息
外观状态: 固体或粉末
质量指标: 95%+
溶解条件: 有机溶剂/水
CAS号: N/A
分子量: N/A
储存条件: -20℃避光保存
储存时间: 1年
运输条件: 室温2周
生产厂家: 上海金畔生物科技有限公司