砷化镓(GaAs)基片,25×25×0.35mm,10×10×0.35mm,10×5×0.35mm,5×5×0.35mm

砷化镓(GaAs)基片,25×25×0.35mm,10×10×0.35mm,10×5×0.35mm,5×5×0.35mm,可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底

产品介绍

GaAs材料具有很高的电子迁移率、宽禁带、直接带隙，消耗功率低的特性，广泛应用与高频及无线通讯，适合于制作IC器件，主要应用于光电子领域和微电子领域。

单晶	掺杂	导电类型	载流子浓度cm-3	位错密度cm-2	生长方法	标准基片（mm）
GaAs	Si undoped	N	>5×1017	<5×105	VGF VB	Dia2″×0.35mm Dia3″x0.35mm Dia100×0.65mm
晶向	(100) 0°±0.5°,<111> (100) 2°±0.5°off toward <111>A (100)15°±0.5°off toward <111>A
尺寸（mm）	25×25×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm、5×5×0.35mm 可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度	Surface roughness(Ra):<=5A 可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告
抛光	单面或双面
包装	100级洁净袋，1000级超净室

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