SOI 晶体材料,4英寸,6英寸,8英寸,0.22～50μm,埋氧层 0.4～4μm,基底层厚度 100～500μm
产品介绍
SOI是将一薄层硅置于绝缘衬底上。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流，提高开关速度，降低功耗，实现高速、低功耗运行。
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外形尺寸
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4英寸；6英寸；8英寸
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工艺
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Smart cut; Bonding; SIMOX
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类型
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N/P
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电阻率
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可选
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顶层单晶厚度
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0.22～50μm
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埋氧层
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0.4～4μm
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基底层厚度
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100～500μm
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TTV
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<3μm
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Particle
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<10@0.3μm
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| 参数信息 | |
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| 外观状态： | 固体或粉末 |
| 质量指标： | 95%+ |
| 溶解条件： | 有机溶剂/水 |
| CAS号： | N/A |
| 分子量： | N/A |
| 储存条件： | -20℃避光保存 |
| 储存时间： | 1年 |
| 运输条件： | 室温2周 |
| 生产厂家： | 上海金畔生物科技有限公司 |