铌元素(Nb)取代Ti元素的Bi4Ti3O12(BTN)铁电薄膜，La和Nd掺杂的硅基Bi4Ti3O12铁电薄膜
产品介绍
描述：研究表明,650℃进行退火的BTN薄膜生长形态,晶粒开始呈棒状生长;当温度高于850℃时,薄膜的c轴生长取向增长趋势不再明显.铁电性方面,对Ti进行2%掺杂取代的BTN薄膜的铁电性能较佳.从而获得了BTN薄膜制备的合理工艺参数.
| 参数信息 | |
|---|---|
| 外观状态： | 固体或粉末 |
| 质量指标： | 95%+ |
| 溶解条件： | 有机溶剂/水 |
| CAS号： | N/A |
| 分子量： | N/A |
| 储存条件： | -20℃避光保存 |
| 储存时间： | 1年 |
| 运输条件： | 室温2周 |
| 生产厂家： | 上海金畔生物科技有限公司 |